HBM1GBの製造にDDRの3〜4倍のウェハーが消費される構造が、サブ100ドルスマートフォンの価格を押し上げている：AI向けメモリがウェハー容量の20%を飲み込んだ2026年
2026年、AI向け高帯域幅メモリ(HBM)とGDDR7がDRAMウェハー総容量の約20%を消費する水準に達した。2025年初時点では約2%だったこの比率が1年で10倍に跳ね上がった背景には、HBM 1GBあたりの製造に標準DRAMの3〜4倍のウェハー面積が必要という構造的な乗数効果がある。メモリ3社(Samsung、SK Hynix、Micron)はHBMと先端サーバーDRAMへの生産シフトを加速しており、DDR4やLPDDR4といったコモディティDRAMの供給が圧縮された結果、DRAM価格は前年比で最大200%超の上昇を記録した。この影響はアフリカや南アジアのサブ100ドルスマートフォン市場にまで波及しているとの分析がある。