「HBM」の検索結果: 4件
2026年、AI向け高帯域幅メモリ(HBM)とGDDR7がDRAMウェハー総容量の約20%を消費する水準に達した。2025年初時点では約2%だったこの比率が1年で10倍に跳ね上がった背景には、HBM 1GBあたりの製造に標準DRAMの3〜4倍のウェハー面積が必要という構造的な乗数効果がある。メモリ3社(Samsung、SK Hynix、Micron)はHBMと先端サーバーDRAMへの生産シフトを加速しており、DDR4やLPDDR4といったコモディティDRAMの供給が圧縮された結果、DRAM価格は前年比で最大200%超の上昇を記録した。この影響はアフリカや南アジアのサブ100ドルスマートフォン市場にまで波及しているとの分析がある。
2026年6月14日から18日にハワイで開催されたVLSI Symposium 2026で、Samsung Electronicsの半導体研究センターLogic TDチームがゲートピッチ42nmの3D Stacked FET(3DSFET)を世界初実証した論文First Demonstration of 3D Stacked FETs at Gate Pitch of 42nm Featuring Triple-Stacked Nanosheet Channels for Advanced Logic Applicationsを発表した。1000本超の投稿の中でレビュースコア8.29/10という最高評価の1つを獲得し、Best Paperに選出、2026 VLSI Technical Highlightsとしても認定された。同じ会議でIntelがCFETインバータをゲートピッチ45nmで実証した中、Samsungは42nmと3nm下回る値を達成した。CMOS対を垂直に積層するCFET(Complementary FET)ファミリーで、平面横スケーリングの物理限界を超える構造的ブレークスルーとして、産業界と学術界双方から注目を集めた。
2025年11月7日に独Jülich Supercomputing Centre(JSC)とNVIDIAの共同研究チームがarXivに論文を公開し、2026年5月11日にScience Daily等のサイエンスメディアが大々的に報道した。欧州初のエクサスケールスーパーコンピュータJUPITER上で、汎用量子コンピュータ50量子ビットの完全シミュレーションに世界で初めて成功。2022年にJülichチーム自身がK(京)コンピュータで樹立した48量子ビットの世界記録を更新した。シミュレーション速度は前記録の16.6倍に達した。量子コンピュータが自分自身を超える前に、古典スパコンが量子の真似をどこまでできるかを示す重要な指標で、量子アルゴリズムの検証と量子優位性ベンチマーク設計に直結する成果。
2026年6月30日、AMDはLPDDR5Xメモリをパッケージ内に直接統合したアダプティブSoCVersal Premium Gen 2 Memory on Package(MoP)を発表した。最大32GB・288GB/sの帯域幅を、ディスクリート構成比で実装基板面積最大60%削減しながら実現する。HBM容量がほぼ全てAIアクセラレータ向けに確保され、DRAM価格が全般的に高騰するなか、AMDのLPDDR5X選択は技術的なアップグレードであると同時にサプライチェーンのヘッジでもあるとみられる。2026年末にサンプル出荷、2027年後半に量産出荷を開始する予定である。